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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华南地区某LED外延性片生孩子机构,因生孩子步骤中利用砷化镓、酸洗铟等III-V族有机化合物,废泥中含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等血本属,设计的概念整理大小1200吨/日。 废渣组成成分及因素 MOCVD机械设备除垢废水处理 :含前三医院基镉、前三医院基铟等生产材料类化合物 分割碾磨废液 :含奈米级黑色金属颗粒状 电镀层废水处理方法 :含铜、镍等金属质正离子 正确处理施工工艺操作流程 改革创新采取"空气氧化破络+高价属气体吸附+膜分离出来"组合成生产技术: 预净化处理象限 :加药系统亚硫酸氢钠被分解转换成充分金属材质络合物 主导进行处理模块 : 动用DTCR天价属捕集器剂组成不可溶螯合物 反渗透装置系统化(UF)挤占大原子影响物 反加入(RO)脱盐率>98% 污水补救單元 :离心力脱水器后交付给危废清理清理心中处治 进而目的 经3.方检侧: 总砷成分:0.05mg/L(国际标准0.5mg/L) 镉浓度:0.01mg/L(新国标0.1mg/L) 水回收利用率:75% 加载资金:3.8元/吨水

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